Основные характеристики
Тип флэш-памяти:
QLC 3D NAND
Контроллер:
Silicon Motion SM2263
Назначение:
для настольного компьютера, игровой, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Подключение
Параметры накопителя
Скорость чтения:
1500 МБ/с
Скорость записи:
1000 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ):
220000 IOPS
Ударостойкость и ресурс работы
Ударостойкость при работе:
1000 G
Ударостойкость при хранении:
1000 G
Время наработки на отказ:
1600000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW):
100 ТБ
Функции
Поддержка технологий:
TRIM, NVMe, Шифрование данных, Поддержка секторов размером 4 КБ
Дополнительно
Макс. рабочая температура:
70 °C
Потребляемая мощность:
0.1 Вт
*Обратите внимание! Комплектация и некоторые спецификации Твердотельный накопитель Intel 660p Series 512 ГБ M.2 SSDPEKNW512G8 могут отличаться в зависимости от модели (модификации), региона или страны. Точные параметры уточняйте на сайте продавца.