Основные характеристики
Тип флэш-памяти:
V-NAND 3-bit MLC
Контроллер:
Samsung Elpis
Назначение:
игровой, для ноутбука и настольного компьютера
Подключение
Параметры накопителя
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
5000 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ):
1000000 IOPS
Ударостойкость и ресурс работы
Ударостойкость при хранении:
1500 G
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW):
1200 ТБ
Функции
Поддержка технологий:
TRIM, NVMe, Шифрование данных
Дополнительно
Макс. рабочая температура:
70 °C
Потребляемая мощность:
6.1 Вт
*Обратите внимание! Комплектация и некоторые спецификации Твердотельный накопитель Samsung 2 ТБ MZ-V8P2T0BW могут отличаться в зависимости от модели (модификации), региона или страны. Точные параметры уточняйте на сайте продавца.